近日，行业消息称长鑫存储计划在北京亦庄布局第二座 12 英寸存储晶圆工厂，几乎同期，该公司注册资本由约 238.9 亿元增至约 313.9 亿元，增幅约 31%。产能扩张与资本运作同步推进，可以看出这家国产存储芯片主力在行业上行周期中的战略雄心。

据知情人士透露，长鑫存储新项目选址已锁定北京亦庄经济技术开发区。该区域内已有长鑫旗下长鑫集电运营的 12 英寸 DRAM 晶圆厂，产业配套基础成熟。现阶段新项目的投资总额与产能规模均未最终敲定，融资方案仍在协商之中。

作为国产DRAM龙头，长鑫存储的全国产能布局早已全面铺开。目前，公司在合肥运营两座 12 英寸 DRAM 晶圆厂、北京落地一座，单座工厂月产能约 10 万片晶圆。

除北京新厂计划外，市场消息显示长鑫还在推进合肥、上海两地的新建晶圆厂项目。此前亦有报道称，长鑫正与国内多地政府洽谈新厂区落地事宜。若全部规划厂区顺利建成投产，长鑫整体月产能有望突破 60 万片 12 英寸晶圆，较当前实现翻倍增长。

产能扩张的同时，长鑫在技术研发端也传来关键进展。据行业人士透露，长鑫存储的 LPDDR6 已接近研发验证尾声，这是量产前的重要一步。若进展顺利，在全球下一代移动内存芯片的量产竞赛中，中国企业将与韩国头部厂商并驾齐驱。

从全球竞争格局来看，长鑫存储当前为全球第四大 DRAM 厂商。不过行业垄断格局依旧突出，三星电子、SK 海力士、美光三大海外巨头合计占据全球 DRAM 约 90% 的市场份额。

当前正值AI算力持续拉动服务器存储需求的上行周期，海外大厂正逐步将重心向高端 HBM（高带宽内存）倾斜，中端通用 DRAM 市场存在一定替代机会。但份额提升是循序渐进的过程，短期很难快速大幅突破，仍需持续考验产品竞争力与客户拓展能力。