近日，长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上透露，公司在新型DRAM记忆单元结构上取得“关键进展”，计划于2026年底前推出采用4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品。
在DRAM芯片设计领域，6F²是当前行业内的主流架构。
所谓“6F²”，是衡量DRAM存储单元面积的核心指标，其中“F”（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术所能实现的最小线宽或间距。在一个通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成的存储单元中，4F²意味着每个单元仅占据4倍最小特征尺寸的平方。相较于6F²，4F²架构能使单位面积内的晶体管数量增多，从而实现存储密度的提升。简单来说，4F²架构意味着在相同线宽下能塞进更多存储单元，单芯片容量更大、成本更低。
然而，从6F²到4F²的跨越绝非易事，其本质上要求晶体管沟道方向发生从水平布局向竖立布局的根本性变革。这意味着过去6F²时代的设计和工艺流程无法被完全复用，整个产业需要整合出一套全新的工艺流程。
曹堪宇博士深入剖析了这一工艺挑战，并指出了长鑫4F²架构最核心的特色——在DRAM存储阵列晶体管上实现了底层创新，即推出了自研的VSG（垂直包围沟道结构）晶体管。长鑫自研的VSG晶体管通过垂直包围沟道结构实现更强的栅控能力，解决了漏电与短沟道效应的痛点。同时，竖立的晶体管形态也为芯片面积的微缩提供助力，进一步提升存储密度。
