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碳化硅晶圆划切方案集合
发布时间:2022-12-12 点击数:683

碳化硅硬度高,耐磨性好,碳化硅晶片硬度大,莫氏硬度分布在 9.2~9.6之间,化学稳定性高,几乎不与任何强酸或强碱发生反应,切割划片很有难度。


深圳西斯特科技在碳化硅晶圆切割方面积累了丰富的经验,现将部分案例整理如下,供各位朋友参考。更多方案细节欢迎来电来函咨询。



划切案例一

材料情况

晶圆规格

6寸

晶圆厚度

0.175mm

划片槽宽度

100um

Die size

3.0*2.54mm


工艺参数

设备型号

TSK-S20

主轴转速

35000rpm

进刀速度

0.8mm/s

刀片高度

0.15/0.05mm


切割方案

推荐刀片

SST 2000-R-70-ECB

切割模式

单刀切断

品质标准

正面离保护线>10um

背面<50um

侧崩<芯片厚度1/4

其他

先激光开槽


划切效果




划切案例二

材料情况

晶圆规格

4寸

晶圆厚度

0.38mm

划片槽宽度

80um

Die size

4.3*4.3mm


工艺参数

设备型号

DISCO 6340

主轴转速

35000rpm

进刀速度

3mm/s

刀片高度

0.28/0.05mm


切割方案

推荐刀片

SST 3000-R-70 DCB

切割模式

Step

品质标准

正面离保护线10um

背崩<40um

其他

SD3500-N1-50 CD先开槽


划切效果



划切案例三

材料情况

晶圆规格

8寸

晶圆厚度

0.2mm

划片槽宽度

100um

Die size

5.37*4.46mm


工艺参数

设备型号

DISCO 6362

主轴转速

45000/35000rpm

进刀速度

2mm/s

刀片高度

0.2/0.05mm


切割方案

推荐刀片

3500-R-70 CCG

2000-R-50 EGF

切割模式

Step

品质标准

正面离保护线20um

背崩<50um


划切效果