自安森美官微获悉，12月19日，安森美宣布已与格罗方德（GlobalFoundries，简称GF）签署合作协议。双方将基于格罗方德最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺，共同研发并制造先进GaN功率产品，合作将从650V器件开始。

据介绍，此次合作将安森美行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，与格罗方德200毫米硅基GaN平台相结合，为高增长市场打造全新650V功率器件。这些GaN产品搭配安森美的硅基驱动器和控制器，将助力客户实现创新，为AI数据中心、电动汽车、航天应用等场景构建更小、更高能效的功率系统。计划于2026年上半年开始向客户提供样品，并快速扩大至量产规模。

此次合作将加速安森美高性能GaN器件及集成功率级的技术路线图，通过扩充高压产品组合，满足AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天等领域日益增长的功率需求。如今已涵盖了全谱系GaN技术——从低压、中压、高压横向GaN，到超高压垂直GaN。

氮化镓是半导体领域后起之秀中的“六边形战士”，综合性能全面，而射频应用作为氮化镓 的“王牌分支”，凭借出众的“高频、高功率、高效率、抗造”性能表现，在高频高功率场景中让传统硅基、砷化镓器件难以匹敌，打破这二者功率密度偏低的固有局限，在5G/6G通信、国防安全、卫星导航、工业制造等关键领域掀起技术革命，成为支撑高端产业升级的核心基石。

从衬底材料来看，氮化镓晶圆主要有四种类型，分别是硅基氮化镓(GaN-on-Si)、蓝宝石基氮化镓(GaN-on-Sapphire)、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)、氮化镓基氮化镓(GaN-on-GaN)。 

其中，硅衬底成本仅为碳化硅的1/10，且可直接利用现有8英寸硅晶圆产线，硅基氮化镓（GaN-on-Si）因此成为最具成本优势的技术路线。 目前，市面上主要的氮化镓器件企业都采用了 GaN-on-Si技术方案。

蓝宝石衬底，凭借化学稳定性好、成本适中的优势，一度成为 LED 芯片的主流选择，但是因为两种材料晶格失配率，切热导率低，氮化镓外延层易产生裂纹，易产生热量堆积，目前仅用于中低端 LED、小功率射频器件。在切割过程中需要特别注意蓝宝石衬底硬度极高、脆性大、且散热能力差的特点，考虑分步切割，并控制切割速度。

硅衬底，莫氏硬度约为6.5，加工难度低，热导率高，散热效果较好，但外延层易因热失配产生翘曲。需对设备定期进行校准减少振动，避免振动导致外延层与衬底剥离。切割时可以采用中等进给速度，搭配常规冷却液，保持冷却液流速稳定。

碳化硅衬底，碳化硅莫氏硬度极高，散热性也极强，针对导电型 SiC 衬底，切割时要注意避免划片刀摩擦产生局部放电，可通过优化冷却液绝缘性减少放电影响。可采用分步切割，注意控制切割深度和进给量，避免产生过大应力，保证切割精度。

氮化镓同质衬底，因为长晶难度大，晶圆直径小切厚度薄，成本极高，目前市面上比较少见。