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碳化硅晶圆(SiC)划切方法
发布时间:2024-04-16 点击数:342

作为一种宽禁带材料,碳化硅(SiC)由于其宽带隙高机械强度和高导热性,被认为是电子工业中硅(Si)基半导体的替代材料。例如,SiC功率器件可以在更高的电压、频率和温度下工作,而且能够以更高的效率或更低的功率损耗来转换电力。与此同时,碳化硅是一种非常硬和脆的材料(莫氏硬度达9.2),这造成工艺加工的难题。特别是在晶圆减薄和晶圆划切过程中更是如此。

 

金刚石划片刀是目前切割SiC晶圆的常用技术。晶圆固定UV膜上,通过高速旋转的金刚石电镀刀片来进行切割。切割的宽度通常在50到 100 微米的范围内。由于SiC的硬度,刀片切割的切割速度较低,而且切割刀片的磨损较高,切割难度大所以采用金刚石划片刀进行切割需要分两刀,先开槽后切断,实现正面背面崩缺最小。且在一定程度上提升切割效率。另外,配合超声波刀片可以更高效切割。

 

除此以外,就是激光切割需要用刀划片机以外的设备。