HBM，全称High Bandwidth Memory，即高带宽内存，是一种基于3D堆叠工艺的高性能半导体存储器。具备高带宽、低功耗、高集成度等优点，专为解决AI时代高性能计算场景下的内存带宽瓶颈而生。

其本质上是基于2.5/3D堆叠封装技术，把多块DRAM垂直堆叠起来后与GPU芯片封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。在结构上，HBM是由多个DRAM 堆叠而成，主要利用TSV(硅通孔)和微凸块(Micro bump)将裸片相连接，多层 DRAM die 再与最下层的 Base die 连接,然后通过凸块(Bump)与硅中阶层(interposer)互联。

同一平面内，HBM与GPU、CPU或 ASIC 共同铺设在硅中阶层上，再通过 CoWoS 等 2.5D 先进封装工艺相互连接，硅中介层通过CuBump 连接至封装基板上，最后封装基板再通过锡球与下方 PCB 基板相连。

HBM生产的核心难点在于晶圆级先进封装技术，主要包括TSV、micro bumping（微凸点制作） 和堆叠键合这三座大山。