先进封装的几种形式一般来说，具备Bump、RDL、Wafer 和 TSV 四项基础要素中任意一种即可称为先进封装。
Macom专注提升GaN-on-SiC产能Macom通过收购Wolfspeed射频业务，拓展其在国防、航空航天等领域的应用场景。
美国放开H20芯片出口中国限制CoWoS严格来说属于2.5D先进封装技术
碳化硅晶圆特性及切割要点导电型碳化硅，在切割时划片刀摩擦可能产生局部放电。
碳化硅衬底尺寸格局根据电学性能差异区分，碳化硅衬底分为导电型衬底和半绝缘型衬底。
小米YU7大卖，带动国产碳化硅供应链升级随着小米旗下车型的大批量交付，将助力国产碳化硅供应链进一步完善升级。
碳化硅将迎来快速增长SiC衬底是第三代半导体材料中氮化镓、SiC应用的基石。
晶圆划切过程中怎么测高？目前测量刀片磨损有两种方式：接触测高和非接触测高。
划片机参数设置，划片刀刀高设置通过不断的修改切割参数及工艺设定，与划片刀达到一个稳定的平衡，可以有效解决崩边问题的发生。
减薄对后续晶圆划切的影响随着工艺创新，“先划片后减薄”（DBG）与“减薄划片”（DBT）技术应运而生。
