美国放开H20芯片出口中国限制CoWoS严格来说属于2.5D先进封装技术
碳化硅晶圆特性及切割要点导电型碳化硅，在切割时划片刀摩擦可能产生局部放电。
碳化硅衬底尺寸格局根据电学性能差异区分，碳化硅衬底分为导电型衬底和半绝缘型衬底。
小米YU7大卖，带动国产碳化硅供应链升级随着小米旗下车型的大批量交付，将助力国产碳化硅供应链进一步完善升级。
碳化硅将迎来快速增长SiC衬底是第三代半导体材料中氮化镓、SiC应用的基石。
晶圆划切过程中怎么测高？目前测量刀片磨损有两种方式：接触测高和非接触测高。
划片机参数设置，划片刀刀高设置通过不断的修改切割参数及工艺设定，与划片刀达到一个稳定的平衡，可以有效解决崩边问题的发生。
减薄对后续晶圆划切的影响随着工艺创新，“先划片后减薄”（DBG）与“减薄划片”（DBT）技术应运而生。
法拉第材料特性及切割要点法拉第旋转片最核心的材料，有包括钇铁石榴石(YIG)、铽镓石榴石(TGG)、铽铝石榴石(TAG)、稀土铁石榴石(RIG)等在内的晶体材料。
晶圆划切崩边产生的成因及预防措施划片刀磨粒平均颗粒尺寸、主轴转速、工件进给速度和切削深度等条件都是影响脆性材料切割品质的重要因素。
