先进封装中异构集成的下一代互连互连技术的关键进步包括硅通孔 (TSV)、中介层和混合键合方法的发展。
微电子封装的六个阶段和三个层次从电子封装工程的角度，按习惯一般称层次1为零级封装；层次2为一级封装；层次3为二级封装；层次4、5、6为三级封装。
TSV和TGV产品在切割上的不同难点不论是TSV还是TGV，都需要再晶圆级封装后分离出独立封装单元，满足后续组装需求。
先进封装集成技术中的PoP和CoW晶圆级芯片集成
先进封装的几种形式一般来说，具备Bump、RDL、Wafer 和 TSV 四项基础要素中任意一种即可称为先进封装。
碳化硅晶圆特性及切割要点导电型碳化硅，在切割时划片刀摩擦可能产生局部放电。
晶圆划切过程中怎么测高？目前测量刀片磨损有两种方式：接触测高和非接触测高。
划片机参数设置，划片刀刀高设置通过不断的修改切割参数及工艺设定，与划片刀达到一个稳定的平衡，可以有效解决崩边问题的发生。
减薄对后续晶圆划切的影响随着工艺创新，“先划片后减薄”（DBG）与“减薄划片”（DBT）技术应运而生。
法拉第材料特性及切割要点法拉第旋转片最核心的材料，有包括钇铁石榴石(YIG)、铽镓石榴石(TGG)、铽铝石榴石(TAG)、稀土铁石榴石(RIG)等在内的晶体材料。
