先进封装的几种形式一般来说，具备Bump、RDL、Wafer 和 TSV 四项基础要素中任意一种即可称为先进封装。
碳化硅晶圆特性及切割要点导电型碳化硅，在切割时划片刀摩擦可能产生局部放电。
晶圆划切过程中怎么测高？目前测量刀片磨损有两种方式：接触测高和非接触测高。
划片机参数设置，划片刀刀高设置通过不断的修改切割参数及工艺设定，与划片刀达到一个稳定的平衡，可以有效解决崩边问题的发生。
减薄对后续晶圆划切的影响随着工艺创新，“先划片后减薄”（DBG）与“减薄划片”（DBT）技术应运而生。
法拉第材料特性及切割要点法拉第旋转片最核心的材料，有包括钇铁石榴石(YIG)、铽镓石榴石(TGG)、铽铝石榴石(TAG)、稀土铁石榴石(RIG)等在内的晶体材料。
晶圆划切崩边产生的成因及预防措施划片刀磨粒平均颗粒尺寸、主轴转速、工件进给速度和切削深度等条件都是影响脆性材料切割品质的重要因素。
晶圆划片刀的切割工艺新一代的划切系统能够自动监测施加在刀片上的负载或扭矩
分立器件和集成电路有什么不同，是不是都可以叫做芯片？独立功能的独立零件叫做分立器件，复合功能的多管脚芯片叫做集成电路。
加工碲锌镉晶体时，如何避免崩边在加工碲锌镉晶体时，要避免崩边、崩角等问题，可以从以下多个方面采取措施。
